靜電放電小點火能測試儀可用于測試液體、混合氣體、粉塵云、電起*器件等的靜電火花*小能量（靜電感度），其放電能量10μJ到2000mJ的火花能量，*大充電電壓為30kV；關鍵器件采用美原產，電壓輸出可以記錄電容放電過程中的電壓變化，以計算出電弧真正釋放的能量大小。本測試符合ASTM、IEC、GB和GJB 要求。
主要特點：
放電能量范圍極寬，從μJ到J
*大充電電壓達到30kV
可以記錄電容放電過程中的電壓波形(另加電壓探頭和示波器)，也可以測量放電電流波形
放電電阻和電容可以任何更換，符合ASTM、IEC、GB和GJB 各種標準要求
技術參數：
電容規格：1個12 pF/30kV , 1個120 pF/30kv , 1個1200 nF/30kv , 1個4.5 nF/30kv或任意。
電阻：0Ω和20Ω/30kv或任意
電感：0.01mH、 0.1mH或任意
火花能量范圍從0.01 mJ到2000 mJ
火花能量步長為0.01mJ
高穩定的高壓直流控制器可以輸出30kv超高壓（EHT）
*大充電電壓為30kV，一般采用10—15 kV。
遠程電子點火控制（TTL電平同步），實現遙控同步觸發控制和保證實驗人員的操作安全。
手動控制。

EST883C型CDM靜電放電模擬器

高精度1%和穩定性0.1%
（電子元器件CDM靜電放電敏感度試驗）
試驗電壓寬(0～±2000V)、精度高0.5%、分辨率高(1V)、穩定性好(時漂小于0.1%)
符合新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014標準，
過去大家對人體模型(HBM)和機器模型(MM)相當重視，而忽視了帶電器件模型(CDM)對器件造成的損壞。近年的研究證明，在自動化程度越來越高，器件本身帶電所造成的損壞遠多于HBM和MM。IC等器件本身由于接觸分離及摩擦如從管內倒出帶電，在接觸或處理器件如由機器手或人取出時會時器件會發生放電，在流水在線常見的ESD就是典型的CDM靜電放電。CDM與HBM和MM無論在試驗原理方法和程序上都有很大的不同，HBM和MM都是由于IC外部的靜電放電造成IC等器件損壞，通過對人員和設備接地就能控制HBM和MM的發生，而CDM是器件對其他物體放電所造成的損壞，從模型的基本理論、測試原理，試驗方法，測試設備都不同于HBM和MM，而且不可能通過接地來控制CDM, 因而CDM成了近年來電子器件損壞嚴重、發生概率大的事件。
EST883C CDM simulator按照新的美標準ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014 （替代Replacement of ANSI/ESD S5.3.1-2009 & JEDEC JESD22-C101F） 設計的測試CDM的 模擬器，具有試驗電壓寬(±1V～±2000V)、精度高0.5%、分辨率高(1V)、穩定性好(時漂小于0.1%)優點。
技術參數：
技術指標 (符合并優于新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014的標準：0-1000V)
試驗電壓：±1V～±1999V （連續可調）可從前面板調節顯示值
電壓顯示： LED，分辨率：±1V
試驗電壓準確度：±0.5% ±2字
試驗電壓穩定性：0.1%(小時，預熱30分鐘以后)
電流波形記錄接口，傳輸線特性阻抗50Ω，可接數字存儲示波器。
電場感應板：75*75mm
放電頭移動距離：0～10mm
可更換的放電針
世*通用電源電壓：AC85V～265V/40～65Hz
功耗：約3W, 重量：約3kg
贈送附件
1. CDM校準模塊 大、小各一個，
符合新ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2014標準，替代Replacement of ANSI/ESD S5.3.1-2009 & JEDEC JESD22-C101F
2 衰減器：20dB/6GHz,
3. 50歐姆電纜線（Cable）1米
4. 放電探針（PIN）： 不少于4個
5. 探針支架